采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：22195}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI08N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：20，"08+"：200，"10+"：500，"17+"：210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：20，"08+"：200，"10+"：500，"17+"：210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：22195}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R500CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
