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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 1.3A
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:50+
    商品信息
    参数
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SSU1N50BTU
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SSU1N50BTU

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":30240,"06+":20160,"MI+":5040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSU1N50BTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€26W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3Ω@650mA,10V

    漏源电压:520V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOT1N60
    AOS Mosfet场效应管 AOT1N60

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT1N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41.7W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:9Ω@650mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订5500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订5500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70.13pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    AOS Mosfet场效应管 AOT1N60 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT1N60 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT1N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41.7W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:9Ω@650mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5495
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SSU1N50BTU
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SSU1N50BTU

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":30240,"06+":20160,"MI+":5040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSU1N50BTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€26W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3Ω@650mA,10V

    漏源电压:520V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:953
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SSU1N50BTU
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SSU1N50BTU

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSU1N50BTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€26W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3Ω@650mA,10V

    漏源电压:520V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:792
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3732UFB4-7B 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40.8pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
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