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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G 起订2980个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G 起订2980个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":42,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":828458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订5个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订5个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC26N12NX1SA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC26N12NX1SA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":62760,"23+":11727}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC26N12NX1SA1

    阈值电压:4V@244µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD1N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD1N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    漏源电压:130V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMPDM7002AHC TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    漏源电压:130V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103BKR 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103BKR 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€2.1W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79.3pF@15V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3442

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1458-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1458-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":120095,"16+":25900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1458-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€38W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:65pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:13Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C010UNT2L 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C010UNT2L 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C010UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    漏源电压:130V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8001CND3FRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8001CND3FRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8001CND3FRATL

    工作温度:150℃

    功率:36W

    阈值电压:5.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C010UNT2L 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C010UNT2L 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C010UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C010UNT2L 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C010UNT2L 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV2C010UNT2L

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60G 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60G 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A13A0MR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A13A0MR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP151A13A0MR-G

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订1000个装
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订1000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMPDM7002AHC TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF250XNEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF250XNEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF250XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:342mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@15V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:254mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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