采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19071，"18+"：16600，"19+"：12000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R650CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：27.2W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
