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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 270mA
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15823
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6008NBKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6008NBKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6008NBKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW€1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@30V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
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