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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 1.7A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R3K0CEAKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R3K0CEAKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":250500,"16+":10500,"9999":40}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R3K0CEAKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3125
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K3C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.1W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5632N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC20GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC20GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBC20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K3C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.1W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R3K0CEBKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R3K0CEBKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":9250,"16+":15000,"9999":39}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R3K0CEBKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3125
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4464DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4464DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4464DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD2N90TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD2N90TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N90TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2Ω@850mA,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD2N90TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD2N90TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N90TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2Ω@850mA,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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