采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.95W€10W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R660CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R900P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA95R1K2P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：478pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.7A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SE8228AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R600P7SE8228XKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4000，"18+"：7000，"22+"：720，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7308DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7000，"24+"：2250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD06N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7308DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：37，"19+"：16559，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN70R900P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：17.9W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
