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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 22A
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFD7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R110CFD7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5420,"19+":13500,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:171
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:114
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":381,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":381,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5420,"19+":13500,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":609,"22+":831}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:94
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH22N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH22N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH22N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2310pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R110CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4.5V@480µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:468pF@15V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD15571Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD15571Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP22N65X2 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP22N65X2 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP22N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2310pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R099C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R099C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14121,"MI+":240}

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R099C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP22N65X2 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP22N65X2 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP22N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2310pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
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