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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ALPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ALPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840ALPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1018pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.9V@470µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":75,"08+":342}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1 起订479个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1 起订479个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":19480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP850N80Z 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP850N80Z 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP850N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:136W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1315pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP08N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP08N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP08N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.9V@470µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":498}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R190C7XKSA1 起订281个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R190C7XKSA1 起订281个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":290,"17+":134}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R190C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@290µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1150pF@400V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":8570}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订542个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订542个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":823}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50UT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50UT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50UT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1130pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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