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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 18A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R045C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4340pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:370
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:349
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS8870
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS8870

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":5000,"09+":41336,"10+":2937,"11+":55,"13+":1864,"14+":43}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    输入电容:4615pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:185
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP18N50
    onsemi Mosfet场效应管 FDP18N50

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP18N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:265mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW60R180P7SXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW60R180P7SXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):45psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAW60R180P7SXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":78,"19+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF18N50T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF18N50T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N50T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:265mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:265mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":1956,"15+":3345,"19+":500,"22+":52,"9999":383}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R045C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4340pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7842TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":29627,"MI+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD770N15A
    onsemi Mosfet场效应管 FDD770N15A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD770N15A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@75V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@12A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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