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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6012DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：920mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6012DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：920mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6012DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：920mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
输入电容：1130pF@300V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：750mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：2500}
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
包装方式：托盘
ECCN：EAR99
功率：2.5W€190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：2500}
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
包装方式：托盘
ECCN：EAR99
功率：2.5W€190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
