品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
连续漏极电流:50A
输入电容:1871pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
连续漏极电流:50A
输入电容:1871pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: