品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:5.7A€24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: