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    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    功率: 310mW
    当前匹配商品:100+
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    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL 起订15823个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订7962个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订7962个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订30000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订30000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 J110RLRA 起订5000个装
    onsemi 结型场效应管 J110RLRA 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    生产批次:{"06+":15967}

    销售单位:

    漏源导通电阻:18Ω

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    功率:310mW

    栅源击穿电压:25V

    栅源截止电压:500mV@1μA

    漏源饱和电流:10mA@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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