采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.29mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：76，"21+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：45984，"24+"：27166}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：93000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：67500，"23+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：2856，"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：417681，"24+"：19638}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.68mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27879，"19+"：13075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R450P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC@400V
包装方式：管件
输入电容：424pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@2.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@22µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@5.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
