品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":365}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":365}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":731}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
功率:205W
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
工作温度:175℃
输入电容:5500pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
阈值电压:3V@500µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8030pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":731}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8030pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":365}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8030pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8030pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: