品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1940,"23+":3000}
规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1
导通电阻:10.7mΩ@88A,10V
连续漏极电流:88A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@270µA
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
输入电容:7100pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
功率:140W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@100µA
连续漏极电流:61A
导通电阻:13.9mΩ@37A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:3180pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:179W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1
导通电阻:10.7mΩ@88A,10V
连续漏极电流:88A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@270µA
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
输入电容:7100pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP034N08N5AKSA1
功率:167W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:87nC@10V
阈值电压:3.8V@108µA
输入电容:6240pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":14000,"MI+":2000}
规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1
导通电阻:10.7mΩ@88A,10V
连续漏极电流:88A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@270µA
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
输入电容:7100pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:179W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":12350,"22+":865,"23+":9200}
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:179W
栅极电荷:87nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":14000,"MI+":2000}
规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1
导通电阻:10.7mΩ@88A,10V
连续漏极电流:88A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@270µA
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
输入电容:7100pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB407N30NATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@270µA
导通电阻:40.7mΩ@44A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
输入电容:7180pF@100V
连续漏极电流:44A
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
ECCN:EAR99
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SUP90142E-GE3
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
输入电容:31200pF@100V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:15.2mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:375W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1
导通电阻:11.7mΩ@84A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@270µA
类型:N沟道
栅极电荷:87nC@10V
输入电容:6650pF@100V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:84A
功率:300W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@100V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@96A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@100V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@84A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@100V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@84A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7100pF@100V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@88A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7100pF@100V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@88A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":12350,"22+":865,"23+":9200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@100V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@84A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@100V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@96A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT029N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:168W
阈值电压:3.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@40V
连续漏极电流:52A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: