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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：20Ω@150mA，0V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47N60BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7015pF@25V
导通电阻：70mΩ@30A，10V
连续漏极电流：47A
阈值电压：3.9V@2.7mA
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2224N3-G
连续漏极电流：540mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@5mA
类型：N沟道
包装方式：袋
漏源电压：240V
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：APT5010LFLLG
功率：520W
漏源电压：500V
导通电阻：100mΩ@23A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：4360pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：5V@2.5mA
连续漏极电流：46A
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2425N8-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：250V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：480mA
导通电阻：3.5Ω@500mA，10V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4V@1mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装方式：袋
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：640mA
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
功率：740mW
漏源电压：500V
输入电容：10pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：70pF@20V
导通电阻：2Ω@1A，10V
阈值电压：1.6V@500µA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：890mA
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：1.6V@1mA
输入电容：125pF@20V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
漏源电压：700V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：42Ω@100mA，0V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3535N8-G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：230mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
功率：1.6W
导通电阻：10Ω@150mA，0V
ECCN：EAR99
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
输入电容：300pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：300mΩ@3A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：230mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
类型：N沟道
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：10Ω@300mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509K1-G
功率：490mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
漏源电压：90V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：VN2210N2
输入电容：500pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：350mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
连续漏极电流：730mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4V@1mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509N8-G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：90V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：360mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
连续漏极电流：136mA
导通电阻：20Ω@150mA，0V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：230mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
类型：N沟道
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：10Ω@300mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：640mA
包装方式：袋
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2406L-G
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
包装方式：袋
漏源电压：240V
连续漏极电流：190mA
功率：1W
ECCN：EAR99
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：230mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
类型：N沟道
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：10Ω@300mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
