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    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订1781个装
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订1781个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":23452,"16+":126}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHT4NQ10T,135 起订2137个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHT4NQ10T,135 起订2137个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":247125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHT4NQ10T,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:6.9W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L 起订347个装
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L 起订347个装

    品牌:BiPOM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1142,"22+":1651}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,235

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005LPK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":23452,"16+":126}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005LPK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMPDM7002AHC TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS7002A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BST82,215 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BST82,215 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BST82,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@150mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE 起订1000个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE 起订1000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7001 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.57nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT014L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BST82,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BST82,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BST82,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@150mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT014L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002/HAMR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002/HAMR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002/HAMR

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014L 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014L 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT014L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 2N7002 TR PBFREE 起订6000个装
    Central Mosfet场效应管 2N7002 TR PBFREE 起订6000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,235

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 2N7002 TR13 PBFREE 起订100个装
    Central Mosfet场效应管 2N7002 TR13 PBFREE 起订100个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002 TR13 PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,235

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005LPK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002,215 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002,215 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601TK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订2000个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订2000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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