品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3885 pF @ 40 V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":79,"23+":4740}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N04LSGATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),139W(Tc)
阈值电压:2V @ 85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000 pF @ 20 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.6 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9401-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF460AG
功率:500V
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:500V
类型:N 通道
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ3C065080B3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 15 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500 pF @ 100 V
连续漏极电流:25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:111 毫欧 @ 20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3GATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9500,"MI+":9920}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC046N02KSGAUMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.8W(Ta),48W(Tc)
阈值电压:1.2V @ 110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.6 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100 pF @ 10 V
连续漏极电流:19A(Ta),80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 50A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86240
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905 pF @ 75 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:51 毫欧 @ 4.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:78W(Tc)
阈值电压:4V @ 500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13 nC @ 20 V
包装方式:散装
输入电容:200 pF @ 1000 V
连续漏极电流:5.3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3SC120016K4S
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:517W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:218 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:7824 pF @ 800 V
连续漏极电流:107A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:21毫欧 @ 50A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4SC075006K4S
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:714W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:8374 pF @ 400 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 80A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065040K3S
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:326W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:1500 pF @ 100 V
连续漏极电流:54A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:52 毫欧 @ 40A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065030K4S
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:441W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43 nC @ 12 V
包装方式:管件
输入电容:1500 pF @ 100 V
连续漏极电流:85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:35 毫欧 @ 50A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":506,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460 pF @ 15 V
连续漏极电流:6.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:38 毫欧 @ 6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: