品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
栅极电荷:80 nC @ 20 V
类型:N 通道
功率:72W(Tc)
输入电容:900 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
栅极电荷:80 nC @ 20 V
类型:N 通道
功率:72W(Tc)
输入电容:900 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF76423P3
功率:85W(Tc)
栅极电荷:34 nC @ 10 V
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:1060 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:35A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB047N10
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
栅极电荷:210 nC @ 10 V
类型:N 通道
连续漏极电流:120A(Tc)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
输入电容:15265 pF @ 25 V
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
功率:429W(Tc)
漏源电压:150V
类型:N 通道
包装方式:管件
连续漏极电流:158A(Tc)
输入电容:9445 pF @ 75 V
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
ECCN:EAR99
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
栅极电荷:47 nC @ 10 V
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
ECCN:EAR99
功率:70W(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2142 pF @ 12 V
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9401-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":16300,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9401-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: