品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":107226}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2792AGR-E1-AT
功率:2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.2nF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M6HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@5V€3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V€230pF@10V
连续漏极电流:5A€3.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:51mΩ@5A,10V€90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G180C06Y
阈值电压:4V€2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:60A€50A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G180C06Y
阈值电压:4V€2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:60A€50A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M6HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@5V€3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V€230pF@10V
连续漏极电流:5A€3.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:51mΩ@5A,10V€90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G180C06Y
阈值电压:4V€2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:60A€50A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":107226}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2792AGR-E1-AT
功率:2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.2nF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):6706A
功率:2W
阈值电压:1.6V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V€36pF@25V
连续漏极电流:200mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V€60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":107226}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2792AGR-E1-AT
功率:2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.2nF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFT8472DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:10Ω@130mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":66000}
包装规格(MPQ):544psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2590T1H-T1-AT
功率:1.24W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:散装
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":66000}
包装规格(MPQ):544psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2590T1H-T1-AT
功率:1.24W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:散装
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2590T1H-T2-AT
功率:1.24W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":90000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2791GR-E1-AT
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:36mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2148}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT3043C-EL-E
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:205mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: