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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS015P03P8ZTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS015P03P8ZTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS015P03P8ZTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.66W€33.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2706pF@15V

    连续漏极电流:13.4A€47.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€21W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订224个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订224个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA530PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1411个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1411个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":42200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000,"9999":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@20V

    连续漏极电流:10.8A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订4167个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订4167个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675 起订156个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675 起订156个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":464}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G 起订989个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G 起订989个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN360P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5618P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:1.25A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6679AZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6679AZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6679AZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3845pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6679AZ 起订611个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6679AZ 起订611个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1000,"23+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6679AZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3970pF@15V

    连续漏极电流:11.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS6673BZ 起订374个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS6673BZ 起订374个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€28A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS015P03P8ZTWG 起订10000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS015P03P8ZTWG 起订10000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS015P03P8ZTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.66W€33.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2706pF@15V

    连续漏极电流:13.4A€47.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141-F085 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2005pF@20V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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