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    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    工作温度: -55℃~175℃
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
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    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2495,"23+":10191}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FQB27P06TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB27P06TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB27P06TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z10PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z10PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z10PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF47P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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