采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ193P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@10V
连续漏极电流：4A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：588000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2741}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：235，"23+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4465
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8237pF@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：255925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：1.65A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS63DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@10V
连续漏极电流：35.1A€127.5A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC638APZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：1.65A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：2513，"05+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：1.65A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：9204，"04+"：605775}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1882}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3433T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@5V
连续漏极电流：2.35A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2694pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@10V
连续漏极电流：4A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS63DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@10V
连续漏极电流：35.1A€127.5A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
