品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKM,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1008pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3449-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:299pF@20V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: