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    ECCN
    类型
    漏源电压
    40V
    行业应用
    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3670pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120P04P404ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120P04P404ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120P04P404ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14790pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P4L08ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P4L08ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.2V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6085pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L06ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P04P4L06ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.2V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6580pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD85P04P407ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6085pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4025SFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4025SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1643pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP2104N3-G-P003 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP2104N3-G-P003 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:175mA

    类型:P沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3419AEEV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3419AEEV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3419AEEV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:975pF@20V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订218个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180P04P403ATMA2 起订218个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":563,"23+":593}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17640pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13980pF@20V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1350-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€88W

    阈值电压:3V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16900pF@25V

    连续漏极电流:10.4A€53A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P4L08ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P4L08ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.2V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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