品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120P04P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14790pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.2V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":563,"23+":593}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180P04P403ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17640pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:P沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13980pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1350-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@9.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€88W
阈值电压:3V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@25V
连续漏极电流:10.4A€53A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: