品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":16500,"22+":5040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU8P10TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD8P10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23202}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@20V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:18Ω@80mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":38945}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ015P10HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:319pF@25V
连续漏极电流:980mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@980mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":1416}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1000,"24+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:319pF@25V
连续漏极电流:980mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@980mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9520PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: