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    类型
    漏源电压
    8V
    行业应用
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    漏源电压: 8V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订962个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订962个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":9204,"04+":605775}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS2101PT1

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@6.4V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5445T1 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5445T1 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5445T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:450mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":9204,"04+":602775}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS2101PT1

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@6.4V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1173pF@4V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:850mV@250µA

    功率:970mW

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS1102PTAG 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS1102PTAG 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS1102PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:720mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1585pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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