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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120P10_10M1LGE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14280pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14280pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：159，"22+"：739，"23+"：3958}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：159，"22+"：739，"23+"：3958}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120P10_10M1LGE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P4L03ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
