品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":42441}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3383-TL-H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56140}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1329pF@16V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1343-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1343-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ035P03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ035P03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: