品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":42441}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3383-TL-H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1343-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1345-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR015P03TL
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L015SPTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3435
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J424TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCP8107,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2160pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3435
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:137mA
类型:P沟道
导通电阻:28Ω@150mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: