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    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    功率: 150mW
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订16个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订16个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"14+":6000,"17+":117000,"20+":10242}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01SS-TL-H 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01SS-TL-H 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":42464}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LP01SS-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.4pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:23Ω@40mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5HP01M-TL-H 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 5HP01M-TL-H 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":21000,"12+":33875,"15+":204000,"16+":15000,"17+":57000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5HP01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.2pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:22Ω@40mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01M-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01M-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":12000,"14+":42000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.4pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:23Ω@40mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5HP01M-TL-E 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 5HP01M-TL-E 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":765000,"15+":63000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5HP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.2pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:22Ω@40mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZE002P02TL 起订9000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZE002P02TL 起订9000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZE002P02TL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139K-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139K-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139K-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@16V

    连续漏极电流:660mA

    类型:P沟道

    导通电阻:950mΩ@500mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP22D6UT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP22D6UT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP22D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-H 起订2244个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-H 起订2244个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":1414718,"14+":6000,"18+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZM002P02T2L 起订15个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZM002P02T2L 起订15个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZM002P02T2L

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004TK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004TK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004TK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J36FS,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J36FS,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J36FS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:330mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004TK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004TK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004TK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZM001P02T2L 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZM001P02T2L 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZM001P02T2L

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J56MFV,L3F 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J56MFV,L3F 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZM001P02T2L 起订40000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZM001P02T2L 起订40000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZM001P02T2L

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZE002P02TL 起订15000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZE002P02TL 起订15000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZE002P02TL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订22个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订22个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KE-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KE-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KE-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@6V

    连续漏极电流:660mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004TK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004TK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004TK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001ZPTL 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001ZPTL 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RE1C001ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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