采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：204675}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3360-TL-H
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：303mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2692，"22+"：42000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3333A-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2692，"22+"：42000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3333A-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
