品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS2P753Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":212578,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6355-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6350-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2520N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC602P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:1456pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2520N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2460,"22+":845}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@16V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC602P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:1456pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC602P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:1456pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: