采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：42200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：235，"23+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4465
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8237pF@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS014P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€88W
阈值电压：3V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16900pF@25V
连续漏极电流：10.4A€53A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：235，"23+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4465
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8237pF@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS014P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€61W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：11.3A€49A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS014P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€61W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：11.3A€49A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
