包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：6.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：0}

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2600}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS7D3N04CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：7.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：42W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：42W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：42W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1750}

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：6.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：558}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB600N25N3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：51mΩ

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2900}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：37W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1