采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：181psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8260L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：5245pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7200
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：6A€8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@30V
连续漏极电流：13.1A€47.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@30V
连续漏极电流：13.1A€47.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9421}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4502NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：640mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：223202，"10+"：2500，"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27280，"MI+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9620S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：7.5A€10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7620S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：10.1A€12.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3800，"21+"：5728，"22+"：58000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7103QTR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：25350，"10+"：7987，"11+"：1197，"12+"：20881，"15+"：1319，"16+"：489，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4820NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7341QTR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：25350，"10+"：7987，"11+"：1197，"12+"：20881，"15+"：1319，"16+"：489，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4820NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7200
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：6A€8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：3000，"04+"：352515}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：640mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：16.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
