首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    工作温度
    行业应用
    连续漏极电流
    ECCN: EAR99
    类型: 2N沟道(双)
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 6A€30A
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    功率:2.5W€58W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3.8V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1398pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    功率:2.5W€58W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3.8V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1398pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    功率:2.5W€58W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3.8V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1398pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧