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    行业应用
    ECCN: EAR99
    类型: 2N沟道(双)
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:3100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMGD7N45SSD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMGD7N45SSD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.64W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:256pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@400mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LDV-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LDV-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1184pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订3454个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订3454个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8013S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8013S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8013S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@15V

    连续漏极电流:13A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N-F085P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP 起订8个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP 起订8个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC150N03LDGATMA1 起订1120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC150N03LDGATMA1 起订1120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC150N03LDGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3035LWN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:399pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2029USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1171pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@35V€765pF@35V

    连续漏极电流:11.7A€32.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO350N03 起订893个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO350N03 起订893个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1832}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO350N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@6µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订1050个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订1050个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":173000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7994DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7994DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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