品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOCA24106E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6816
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":39000,"15+":125229}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2307NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2307NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2023UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.45W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3333pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":115000,"23+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ1416NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2307NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2008LFU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1418pF@10V
连续漏极电流:14.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87501L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存: