采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：17446，"24+"：19615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
