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    ECCN: EAR99
    功率: 500mW
    漏源电压: 30V
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN360P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J402TU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J402TU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP-NB8L005A
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP-NB8L005A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":80589}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS356AP-NB8L005A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@5V

    包装方式:托盘

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1897
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J117TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J117TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN360P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J402TU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J402TU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J402TU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J402TU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J207FE,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J207FE,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:137pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:251mΩ@650mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN360P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3030SN-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
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