品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":173000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2741}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD235CH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1.6µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@10V
连续漏极电流:950mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:350mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":2513,"05+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15380F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.35V@2.5µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.5pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1190mΩ@100mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25483F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.96nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:198pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":66000,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: