品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7425TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7980pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1361}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1361}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0,"MI+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8434
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: