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    ECCN: EAR99
    功率: 750mW
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
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    价格
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG311N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1466
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1649
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD6P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@16V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.77A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75208W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2P沟道(双)共源

    导通电阻:68mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.77A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75208W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2P沟道(双)共源

    导通电阻:68mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75208W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2P沟道(双)共源

    导通电阻:68mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75208W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2P沟道(双)共源

    导通电阻:68mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":82912,"06+":1037}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1985
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":275,"04+":61572,"12+":361}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG311N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1764
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
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