品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9952TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.5A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APM4953
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:504pF@15V
连续漏极电流:5.3A
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1847}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD4N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9362TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9358TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1740pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:16.3mΩ@9.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO211PNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":666789}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL307SPL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4807
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24050}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":37200,"18+":1220}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL716SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.5A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7351TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.8mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4614B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A€5A
类型:N和P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TRPBFXTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: