采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：11698，"19+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH5839-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：266mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1333-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：11698，"19+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH5839-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：266mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：150℃
输入电容：560pF@10V
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：5.2nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
输入电容：43pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
输入电容：43pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：150℃
输入电容：560pF@10V
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：5.2nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
