采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：45000，"14+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1335-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1334-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：45000，"14+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1335-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1334-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
工作温度：150℃
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF013P01TL
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：150℃
栅极电荷：2.4nC@4.5V
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
类型：P-Channel
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
工作温度：150℃
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
