采购热线 400-661-9010
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLP15M7160PY
功率：160W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFSL7540PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3710ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：14950，"19+"：500，"20+"：2740}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFZ48N
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：477，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：23A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G110N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.538nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：23A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP150NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G110N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.538nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：85，"22+"：4944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3710ZS
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G110N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.538nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3710ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：30，"11+"：240，"15+"：30}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW16N50C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：3.9V@675µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@10A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
